台积电近日宣布，与工研院共同研发出一种名为自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）的阵列芯片。这一技术成果为台积电在AI和高性能运算（HPC）市场抢占先机提供了新的竞争优势。

台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。此次推出的SOT-MRAM将进一步巩固其在市场中的领先地位。

这款SOT-MRAM芯片由台积电和工研院共同设计，实现了极快的工作速度，达到10纳秒，远高于传统的内存芯片。这一创新突破了MRAM仅用作内存的局限，MXIC(旺宏电子)储存IC芯片 极大地提高了存储与内部运算的性能。

台积电表示，新款SOT-MRAM内存采用了独特的运算架构，使得其功耗仅相当于STT-MRAM的1%。这一卓越成果在国际上处于领先地位，并在国际电子元件会议（IEDM）上发表了相关论文，引起了广泛关注。

台积电通过推出SOT-MRAM技术，进一步增强了在AI和HPC市场的竞争力。这款芯片提供了更高性能和更低功耗的解决方案，将为台积电在全球微电子元件领域的发展带来巨大优势。

审核编辑：黄飞

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