台积电近日宣布，与工研院共同研发出一种名为自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）的阵列芯片。这一技术成果为台积电在AI和高性能运算（HPC）市场抢占先机提供了新的竞争优势。 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。此次推出的SOT-MRAM将进一步巩固其在市场中的领先地位。 这款SOT-MRAM芯片由台积电和工研院共同设计，实现了极快的工作速度，达到10纳秒，远高于传统的内存芯片。这一创新突破了MRA